二社谷　一樹のバックアップ(No.6)

二社谷一樹, Kazuki NISHATANI

学年 : 博士後期1年
居室 : E2-111
メール : nishatani ＠ ps.eei.eng.osaka-u.ac.jp

略歴 †

学歴 †

2016年3月　京都市立西京高等学校卒業
2016年4月　大阪大学工学部電子情報工学科入学
2020年3月　同卒業
2020年4月　大阪大学大学院工学研究科電気電子情報通信工学専攻博士前期課程入学
2020年4月　早稲田大学パワー・エネルギー・プロフェッショナル育成プログラム (文部科学省卓越大学院プログラム) 進入 (3期生)
2022年3月　大阪大学大学院工学研究科電気電子情報通信工学専攻博士前期課程修了
2022年4月　同博士後期課程入学

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職歴 †

大阪大学　RA　2020年4月～現在
大阪大学　TA(電気電子回路演習)　2021年6月～ 2021年8月
大阪工業大学　非常勤講師　2022年4月～現在

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所属学会 †

電気学会 2020年1月～
IEEE 2021年1月～

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資格等 †

基本情報技術者

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論文 †

二社谷一樹，井渕貴章，舟木剛：「SiC MOSFETとゲート駆動回路の温度特性がデッドタイムに与える影響の検討」，電気学会論文誌D，vol.xxx，no.xx，pp.xxx-xxx (accepted)

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学会発表 †

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国内学会 †

二社谷一樹，井渕貴章，舟木剛：「SiC MOSFETにおけるゲート-ソース間閾値電圧の温度依存性がスイッチングデッドタイムに与える影響の検討」，令和3年電気学会全国大会，4-101，2021年3月．

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アウトリーチ活動，学会ボランティア等 †

大阪大学高等教育・入試研究開発センター高大接続アドバイザー 2017年3月～現在
- SGH甲子園ポスターアドバイザー (2017, 2018, 2019)
- NIKKEI STEAM シンポジウム Cheers!サポーター (2022)
IEEE Kansai Section Young Professionals (YP) Affinity Group 2020年1月～現在
- Committee Member, IEEE Japan SYWL Workshop 2021 (北海道大学・オンライン, 2021年10月31日) : YP Memberとして派遣

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個人的お役立ちリンク †

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