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福永 崇平, Shuhei Fukunaga

略歴 †

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学歴 †

2012年4月　大阪大学 工学部 電子情報工学科 入学
2016年3月　同 卒業
2016年4月　大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士前期課程 入学
2018年3月　同 修了
2018年4月　大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士後期課程 入学

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所属学会 †

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論文 †

  1. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki：“Switching Surge Voltage Suppression in SiC Half-Bridge Module with Double Side Conducting Ceramic Substrate and Snubber Capacitor,” IEICE Electronics Express, Vol.14, No.11, 2017.
  2. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki：“An Experimental Study on Estimating Dynamic Junction Temperature of SiC MOSFET,” IEICE Electronics Express, Vol.15, No.8, 2018.
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学会発表 †

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国際会議 †

  1. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki：“A Study on the Measurement of Transient Thermal Characteristics for Multi-Layered Ceramic Substrate,” 23rd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2017), Poster session 1, Amsterdam, Sep. 27 – 29, 2017. （ポスター発表）
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国内学会 †

  1. 舟木 剛, 福永 崇平：「SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定法に関する一検討 -SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響-」, 電気学会 全国大会, 4-019, 2016年3月.
  2. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気・熱特性に関する一検討 -基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価-」, 電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-16-098, 2016年7月.
  3. 福永 崇平：「大学研究室におけるT3Sterを用いたパワエレ研究 -次世代パワーデバイスを適用したパワーモジュールの熱設計評価-」, Mentor Forum 2016 – for T3Ster Users, 2016年7月.
  4. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, SPC-16-150, 2016年11月15日.
  5. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いたSiCパワーモジュールの低インダクタンス化の効果に関する一検討 -基板実装したスナバコンデンサの容量がサージ電圧に与える影響-」, 電気学会 全国大会, 4-008, 2017年3月.
  6. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層基板を用いたSiCパワーモジュールのスイッチングサージに関する一検討 –モジュール基板の寄生成分によるスイッチングサージの解析-」, 2017マイクロエレクトロニクスショー アカデミックプラザ, 2017年6月.
  7. 福永 崇平, 舟木 剛：「温度感知ダイオードを用いたSiC MOSFETのジャンクション温度推定に関する一検討」, 電気学会産業応用部門大会, 1-131, 2017年8月.
  8. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, SPC-17-159, 2017年11月.
  9. 福永 崇平, 舟木 剛：「プローニー法による熱回路パラメータの同定に関する一検討」, 電気学会 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, SPC-18-053, 2018年3月.
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共著者登壇分 †

  1. Tsuyoshi Funaki, Shuhei Fukunaga：“Difficulties in characterizing transient thermal resistance of SiC MOSFETs”, 22nd　International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2016), Session 7, Hungary, Sep. 21 – 23, 2016. (口頭発表)
  2. 杉原 英治, 河内昂輝, 舟木 剛, 福永 崇平：「パワー半導体素子の導通特性評価における自己発熱の影響に関する一考察」, 電気学会 全国大会, 4-014, 2018年3月.
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賞罰等 †

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