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福永 崇平, Shuhei FUKUNAGA

略歴 †

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学歴 †

2012年3月　香川県立観音寺第一高等学校 卒業
2012年4月　大阪大学 工学部 電子情報工学科 入学
2016年3月　同 卒業
2016年4月　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士前期課程 入学
2018年3月　同 修了
2018年4月　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士後期課程 入学
2019年1月　早稲田大学 パワー・エネルギー・プロフェッショナル（PEP）卓越大学院プログラム 進入 （1期生）
2020年9月　同 修了（早期）
2020年9月　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士後期課程 修了（早期）doi.

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職歴 †

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TA・RA等 †

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所属学会 †

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資格等 †

少林寺拳法2段, 免許（普通（MT）, 普通二輪）, 色彩検定3級, コーヒーインストラクター検定2級, 漢検2級, 第3種電気主任技術者, 第2種電気工事士, 経県値

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論文 †

  1. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“Switching surge voltage suppression in SiC half-bridge module with double side conducting ceramic substrate and snubber capacitor,” IEICE Electronics Express, vol.14, no.11, pp. 1-8, June 2017. doi.
  2. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“An experimental study on estimating dynamic junction temperature of SiC MOSFET,” IEICE Electronics Express, vol.15, no.8, pp. 1-6, April 2018. doi.
  3. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki, Shinsuke Harada, and Yusuke Kobayashi：“An experimental study on dynamic junction temperature estimation of SiC MOSFET with built-in SBD,” IEICE Electronics Express, vol.16, no.17, pp. 1-4, September 2019. doi.
  4. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“Transient thermal network model identification for power module packages,” IEICE Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA), vol.11, no.2, pp. 157-169, April 2020. doi.
  5. 關 翔太, 福永 崇平, 井渕 貴章, 舟木 剛:「10MHz帯E級インバータの設計に向けた磁気部品の2ポート測定とモデル化」, 電気学会論文誌A, vol. 141, no. 5, pp. 317-326, 2021年5月. doi.
  6. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Thermal decouple design of multi-chip SiC power module with thermal anisotropic graphite,” IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 11, no. 5, pp. 778-784, May 2021. doi.
  7. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Chip layout optimization of SiC power modules based on multiobjective electro-thermal design strategy,” IEEJ Journal of Industry Applications, vol.11, no.1, pp. 157-162, January 2022. doi.
  8. 熊野 豊, 福永 崇平, 舟木 剛:「放熱経路として用いられるバスバーの温度分布解析モデル」, エレクトロニクス実装学会, 25巻, 3号, pp. 269-271, 2022年5月. doi.
  9. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Identification of high resolution transient thermal network model for power module packages,” Material Science Forum, vol. 1062, pp. 253-257, May 2022. doi.
  10. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “Slew rate control of SiC MOSFET in boost converter using digital active gate driver,” IET Power Electronics, vol. 16, no. 3, pp. 472-482, February 2023. doi.
  11. 熊野 豊, 福永 崇平, 舟木 剛:「トムソン効果を考慮した金属導体の実効熱伝導率」, エレクトロニクス実装学会, 26巻, 3号, pp. 290-292, 2023年5月. doi.
  12. 舟木 剛, 福永 崇平, 井渕 貴章, 福田 典子, 中村 孝, 柳澤 佑太「交流電車用トランスレス電源回路」, 電気学会論文誌D, 143巻, 9号, pp.636-643, 2023年9月. doi.
  13. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Digital-twin-compatible optimization of switching characteristics for SiC MOSFETs using genetic algorithm,” IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Industrial Electronics, vol. 4, no. 4, pp. 1024-1033, October 2023. doi., KURENAI
  14. Yonghwa Lee, Sebastien Aviles, Shuhei Fukunaga, Cyrille Duchesne, Philippe Lasserre, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Reliable development of an IMS-based SiC power module,” Microelectronics Reliability, vol. 150, pp. 115164, November 2023. doi.
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学会発表 †

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国際会議 †

  1. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“A study on the measurement of transient thermal characteristics for multi-layered ceramic substrate,” 23rd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2017), Poster session 1, Amsterdam, Sep. 27 – 29, 2017. （Poster） doi.
  2. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“A statistical study on the required sample number of SiC SBD to secure estimated junction temperature with K Factor,” 24th International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2018), Poster session 1, Stockholm, Sep. 26 – 28, 2018. （Poster） doi.
  3. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki, Shinsuke Harada, and Yusuke Kobayashi：“A study on transient thermal characterization of SWITCH-MOS,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Tu-P-39, Kyoto, Sep. 29 – Oct. 4, 2019. （Poster）
  4. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“A reliability assessment on busbar joint with ultrasonic bonding in power module for thermal stress,” International Symposium on Advanced Power Packaging (ISAPP 2019), Poster session (P-4), Osaka, Oct. 7 – 8, 2019. （Poster）
  5. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive,” The 12th IEEE Energy Conversion Congress and Exposition – Asia, 2021 (ECCE - Asia 2021), OR-02-0485, Singapore, May 24-27, 2021.（Oral）doi.
  6. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Identification of high resolution transient thermal network model for power module packages,” The 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020-2021), Tu-P-44, Tours, France, Oct. 24 - 28, 2021. (Poster)
  7. Shuhei Fukunaga, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Reliable design of SiC MOSFET power modules: Experimental characterization for aging prediction,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 16F1-4, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral) doi.
  8. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “A study on digital active gate driving of DC-DC converter for suppressing switching surge voltage,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19F1-3, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral) doi.
  9. Shuhei Fukunaga, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Development of reliable multi-chip power modules with parallel planar- and trench-gate SiC MOSFETs,” The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Online Poster Session I, Vancouver, Canada, May 23-25, 2022. (Poster) doi.
  10. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Parametric analysis for filter design in extracting transient thermal model parameters of SiC power modules,” The Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA-Asia 2023), M2-2, Hsinchu, Taiwan, August 27-29, 2023. (Oral) doi.
  11. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Development of high-speed current switch box for transient thermal characterization of SiC power modules,” 13th International Conference on Integrated Power Electronics Systems 2024 (CIPS 2024), Poster Sessions, Düsseldorf, Germany, March 12-14, 2024. (Poster) doi.
  12. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Evaluation of phase measurement error in digital oscilloscopes,” IEEE International Instrumentation and Measurement Technology Conference 2024 (I2MTC 2024), 3-A, Glasgow, Scotland, May 20-24, 2024. (Oral) doi.
  13. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Analysis of errors in junction temperature estimated by temperature-sensitive electrical parameter for parallel-connected power devices,” 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024), PS-04-18, Hyogo, Japan, Sep. 1-4, 2024. (Poster, accepted)
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国内学会 †

  1. 舟木 剛, 福永 崇平：「SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定法に関する一検討 -SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響-」, 電気学会 全国大会, 4-019, 東北大学, 2016年3月16日-18日.
  2. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気・熱特性に関する一検討 -基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価-」, 電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-16-098, 機械振興会館, 2016年7月14日-15日.
  3. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-16-063/SPC-16-150, 九州工業大学, 2016年11月14日-15日.
  4. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いたSiCパワーモジュールの低インダクタンス化の効果に関する一検討 -基板実装したスナバコンデンサの容量がサージ電圧に与える影響-」, 電気学会 全国大会, 4-008, 富山大学, 2017年3月15日-17日.
  5. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層基板を用いたSiCパワーモジュールのスイッチングサージに関する一検討 –モジュール基板の寄生成分によるスイッチングサージの解析-」, 2017マイクロエレクトロニクスショー アカデミックプラザ, 東京ビックサイト, 2017年6月7日.
  6. 福永 崇平, 舟木 剛：「温度感知ダイオードを用いたSiC MOSFETのジャンクション温度推定に関する一検討」, 電気学会 産業応用部門大会, 1-131, 函館アリーナ, 2017年8月29日-31日.
  7. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-17-060/SPC-17-159, 鹿児島大学, 2017年11月20日-21日.
  8. 福永 崇平, 舟木 剛：「プローニー法による熱回路パラメータの同定に関する一検討」, 電気学会 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-18-032/PSE-18-008/SPC-18-053, 熊本市国際交流会館, 2018年3月5日-6日.
  9. 福永 崇平, 舟木 剛, 沓水 真琴：「熱異方性のあるグラファイトを用いたパワーモジュール用放熱基板の熱干渉低減に関する数値的検討」, 電気学会 産業応用部門大会, 1-8, 横浜国立大学, 2018年8月28日-30日.
  10. 福永 崇平, 舟木 剛, 井渕 貴章：「有限差分法を用いたパワーモジュール基板の過渡熱特性解析に関する一検討」, 電気学会 半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, SPC-18-140/MD-18-100, 唐津市民交流プラザ, 2018年9月6日-7日.
  11. 福永 崇平, 舟木 剛：「埋込温度感知ダイオードを用いたパワーデバイスのジャンクション温度推定に関する一検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-18-055/SPC-18-149, 川崎市産業振興会館, 2018年11月1日-2日.
  12. 福永 崇平, 舟木 剛：「超音波によるパワーモジュール基板へのブスバー接合の初期接合強度に関する一検討 -タグチメソッドによる接合パラメータ設計-」, 電気学会 全国大会, 4-025, 北海道科学大学, 2019年3月12日-14日.
  13. 福永 崇平, 舟木 剛：「パワーモジュールの過渡熱回路モデル同定手法に関する基礎検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-19-070/SPC-19-156, 東北大学, 2019年11月28日-29日.
  14. 福永 崇平, 舟木 剛：「有限要素法に基づくパワーモジュールの電気/熱解析に関する一検討」, 電気学会 全国大会, 4-104, 東京電機大学, 2020年3月11日-13日.
  15. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「GAに基づくSiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検討」, 電気学会 全国大会, 4-100, 大阪大学（オンライン）, 2021年3月9日-11日.
  16. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「SiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の多目的最適化に関する数値検討」, 電子情報通信学会 NOLTAソサイエティ大会, #2017, 東京都市大学（オンライン）, 2021年6月12日.（査読有）
  17. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証」, 電気学会 全国大会, 4-010, オンライン, 2022年3月21日-23日.
  18. 福永 崇平, カスティラッズィ アルベルト, 舟木 剛：「SiCパワーモジュールの高信頼性設計 -劣化予測へ向けた実験的特性評価-」, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, SDM2022-76, オンライン, 2022年11月10日-11日.（招待講演）
  19. 福永 崇平, 舟木 剛：「SiCパワーデバイスの熱特性評価に適用する過渡熱抵抗測定システムの基礎検討」, 電気学会 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-23-075/PSE-23-081/SPC-23-131, 名護市産業支援センター, 2023年3月6日-7日.
  20. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「ダブルパルス試験による事前決定駆動パラメータを用いた電力変換回路の動特性改善」, 電気学会 全国大会, 4-020, 名古屋大学, 2023年3月15日-17日.
  21. 福永 崇平, 舟木 剛：「メタヒューリスティクスに基づく受動部品の等価回路モデル化に関する一検討」, 電気学会 電磁環境/半導体電力変換合同研究会, EMC-23-010/SPC-23-154, 沖縄県市町村自治会館, 2023年5月12日.
  22. 福永 崇平, 舟木 剛: 「パワーデバイスの温度係数を利用したマルチチップモジュールのジャンクション温度推定誤差に関する一検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, ED-23-054/SPC-23-237, 九州大学 西新プラザ 大会議室AB, 2023年10月26日-27日.
  23. 福永 崇平, 舟木 剛: 「パワエレ計測に用いるオシロスコープの位相計測誤差に関する一検討」, 電気学会 計測研究会, IM-23-022, 佐賀大学理工学部8号館, 2023年11月9日-10日.
  24. 福永 崇平, 舟木 剛：「ベイズ情報量規準に基づくパワーモジュールの熱応答モデル化に関する一検討」, 電気学会 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-24-064/PSE-24-076/SPC-24-118, 福江文化会館, 2024年3月7日-8日.
  25. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「昇圧回路の動特性を改善するアクティブゲート駆動回路の実装方法の検討」, 電気学会 全国大会, 4-011, 徳島大学, 2023年3月15日-17日.
  26. 福永 崇平, 舟木 剛: 「電源回路に用いる磁心材料の複素透磁率とインダクタの交流抵抗に関する基礎検討」, 電気学会 産業応用部門大会, 1-26, 水戸市民会館, 2024年8月28日-30日.（口頭発表, 予定）
  27. 福永 崇平, 舟木 剛: 「SiCパワーデバイスのための過渡熱抵抗測定システムの開発」, エレクトロニクス実装学会 第34回マイクロエレクトロニクスシンポジウム (MES2024), 13A1-2, 大同大学, 2024年9月11日-13日.（口頭発表, 予定）
  28. 福永 崇平, 舟木 剛: 「周波数領域における位相補正を適用した磁心材料の鉄損評価法に関する一検討」, 電気学会 半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, SPC-24-170/MD-24-116, 南相馬市民情報交流センター, 2024年9月19日-20日.（口頭発表, 予定）
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ワークショップ・講演会発表等 †

  1. 福永 崇平：「大学研究室におけるT3Sterを用いたパワエレ研究 -次世代パワーデバイスを適用したパワーモジュールの熱設計評価-」, Mentor Forum 2016 – for T3Ster Users, 2016年7月22日.
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学術雑誌等又は商業誌における解説・総説 †

  1. 舟木 剛, 福永 崇平, 沓水 真琴: 「グラファイトの熱異方性を用いたパワーモジュール用放熱基板」, セラミックス, 第54巻, 12月号, pp. 829-831, 2019年12月.
  2. 井渕 貴章, 福永 崇平, 關 翔太, 前田 晃佑, 松村 昇輝: 「言葉の壁のないユニバーサルコミュニケーション社会の実現を目指して－NICTにおける先進的音声翻訳技術の研究開発－」, 電気学会誌, vol. 143, no. 3, pp. 124-127, 2023. doi.
  3. 福永 崇平: 「学界情報 国際会議レポート：International Conference on Integrated Power Electronics Systems, CIPS 2024 March 12-14, 2024, Düsseldorf, Germany」, 電気学会論文誌D, vol. 144, no. 8, pp. NL8_6, 2024. doi.
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共著者登壇分 †

  1. Tsuyoshi Funaki, and Shuhei Fukunaga：“Difficulties in characterizing transient thermal resistance of SiC MOSFETs”, 22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2016), Session 7, Hungary, Sep. 21 – 23, 2016. (Oral) doi.
  2. 杉原 英治, 河内昂輝, 舟木 剛, 福永 崇平：「パワー半導体素子の導通特性評価における自己発熱の影響に関する一考察」, 電気学会 全国大会, 4-014, 2018年3月.
  3. 濵田 宏紀, 末岐 渉, 福永 崇平, 林 慧, 舟木 剛：「高速回転を目指したモータの巻線設計と特性評価」, 材料技術研究協会 International Student Symposium 2018 –次世代サイエンティストの育成-, A-09, IPU環太平洋大学, 2018年8月.
  4. 舟木 剛, 關 翔太, 福永 崇平：「オンボード電源の小型化に向けた電力変換回路の高周波駆動に関する研究-SiC MOSFETを用いた昇圧チョッパの13.56MHzでの動作の検討-」, 電気学会 合同研究会, MD-19-085/RM-19-053/VT-19-013, 電気学会会議室, 2019年7月.
  5. 松下 涼音, 福永 崇平, 舟木 剛：「電動車両用モータの巻線設計および実験における特性評価と課題抽出」, 材料技術研究協会 International Student Symposium 2019 –次世代サイエンティストの育成-, A-08, IPU環太平洋大学, 2019年8月.
  6. Tsuyoshi Funaki, and Shuhei Fukunaga：“A study on parasitic inductance and thermal resistance of multi-layered ceramic power module substrate”, International Symposium on Advanced Power Packaging (ISAPP 2019), Plenary session, Osaka, Japan, Oct. 7 – 8, 2019. (Oral).
  7. 關 翔太, 舟木 剛, 福永 崇平：「GaN GITを用いた絶縁型E2級DC-DCコンバータに関する実験的検討」, 電気学会 全国大会, 4-053, 2020年3月.
  8. 河内昂輝, 杉原 英治, 福永 崇平, 舟木 剛：「パワー半導体デバイスの自己発熱におけるジャンクション温度の推定と妥当性の検証」, 電気学会 計測研究会, IM-20-011, 2020年3月.
  9. 高橋 将太, 杉原 英治, 福永 崇平, 舟木 剛：「SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討」, 電気学会 全国大会, 4-007, 大阪大学（オンライン）, 2021年3月.
  10. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Switching trajectory control of SiC MOSFET based on I-V characteristics using digital active gate driver,” The 12th IEEE Energy Conversion Congress and Exposition – Asia, 2021 (ECCE - Asia 2021), OR-02-0484, Singapore, May 24-27, 2021.（Oral）doi.
  11. 高山 創, 福永 崇平, 引原 隆士：「SiC MOSFETのゲート電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討」, 電気学会 電子回路研究会, ECT-21-026, オンライン, 2021年6月24日.
  12. Tsuyoshi Funaki, Shuhei Fukunaga, Tomoaki Hara, and Takaaki Ibuchi: “A difficulty and solution in transient thermal resistance modeling for wide band gap power semiconductor device,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19A1-3(OS), Hyogo, Japan, May 15 - 19, 2022. (Oral) doi.
  13. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Simulation tool for optimization of digital active gate driver sequence using genetic algorithm,” The 22nd European Conference on Power Electronics and Applications EPE’22 ECCE Europe, , Hannover, Germany, September 5 - 9, 2022. (Poster) https.
  14. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “An estimation of load-dependent characteristics of SiC power MOSFETs while active-gate-driving,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM 2022), Davos, Switzerland, Sep. 11 - 16, 2022. (Poster)
  15. 清水 優人, 福永 崇平, 舟木 剛：「パワーモジュールに適用する絶縁用セラミックスの過渡熱抵抗に関する実験的検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-22-039/SPC-22-179, 北海道大学, 2022年12月1日-2日.
  16. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Exhaustive search of digitized gate voltage for SiC MOSFETs,” 2022 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications (NOLTA 2022), C2L-B-01, Opatija, Croatia (Full-Online), Dec. 12 - 15, 2022. (Oral) doi.
  17. 清水優人, 福永 崇平, 舟木 剛：「複数TIMの組み合わせによるパワーモジュールの熱抵抗低減に関する実験的検討」, 電気学会 全国大会, 4-006, 2023年3月15日-17日.
  18. Tomoaki Hara, Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Issues of using unsaturated heating time for transient thermal measurement,” 2023 International Conference on Electronics Packaging (ICEP), FD3-1, Kumamoto, Japan, Apr. 19-23, 2023. doi.
  19. 高山 創, 福永 崇平, 引原 隆士：「モジュラーマルチレベルディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFETの並列駆動における電流平衡化に関する一検討」, 電気学会 電磁環境/半導体電力変換合同研究会, EMC-23-009/SPC-23-154, 沖縄県市町村自治会館, 2023年5月12日.
  20. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Binary-weighted modular multi-level digital active gate driver,” The 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’23 ECCE Europe), LS3b, 0039, Aalborg, Denmark, September 4 - 8, 2023. (Oral) doi.
  21. 杵村 弘志, 福永 崇平, 井渕 貴章, 舟木 剛: 「DC-DCコンバータ実動作時のインダクタ損失評価法に関する一検討 -磁性材料による回路動特性および効率改善の定量的評価-」, 電気学会 半導体電力変換/モータドライブ 合同研究会, SPC-23-201/MD-23-098, アミューズメント佐渡, 2023年9月21日-22日.（口頭発表）
  22. Yonghwa Lee, Alberto Castellazzi, Sebastien Aviles, Cyrille Duchesne, Philippe Lasserreb, Shuhei Fukunaga and Tsuyoshi Funaki: “Reliable development of an IMS-based SiC power module,” European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics & Analysis (ESREF) 2023, F2P-8 (#99), Toulouse, France, October 2-5, 2023. (Poster)
  23. 菅 則人, 清水 剛, 福永 崇平, 中西 優貴, 舟木 剛: 「標準化を目指したパワーデバイスの過渡熱抵抗測定システムの開発」, エレクトロニクス実装学会 第38回春季講演大会, 14E2-1, 東京理科大学 野田キャンパス, 2024年3月13日-15日.
  24. 杵村 弘志, 福永 崇平, 井渕 貴章, 舟木 剛: 「DC-DC昇圧コンバータにおけるインダクタの銅損に関する検討例」, 電気学会 全国大会, 4-130, 徳島大学, 2024年3月15日-17日.
  25. Tomoaki Hara, Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Issues of using unsaturated heating time for transient thermal measurement part 2,” 2024 International Conference on Electronics Packaging (ICEP), FD1-1, Toyama, Japan, Apr. 17-20, 2024. (Oral) doi.
  26. 舟木 剛, 井渕 貴章, 福永 崇平: 「高電圧差動プローブの特性がパワエレ計測に与える影響に関する一検討」, 電気学会 電磁環境/半導体電力変換合同研究会, EMC-24-015/SPC-24-135, ホテルサンシティー函館, 2024年6月28日.（口頭発表）
  27. 大賀 悠功, 福永 崇平, 舟木 剛: 「金属放熱基板を用いたSiCパワーモジュールの過渡熱抵抗の実験的評価」, 電気学会 産業応用部門大会, 1-16, 水戸市民会館, 2024年8月28日-30日.（口頭発表, 予定）
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賞罰等 †

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研究助成 †

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科研費 †

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財団 †

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その他 †

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