福永 崇平, Shuhei Fukunaga

略歴

学歴

2012年4月 大阪大学 工学部 電子情報工学科 入学
2016年3月 同卒業
2016年4月 大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士前期課程 入学
2018年3月 同修了
2018年4月 大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士後期課程 進学

所属学会

論文

  1. S. Fukunaga, T. Funaki:“Switching Surge Voltage Suppression in SiC Half-Bridge Module with Double Side Conducting Ceramic Substrate and Snubber Capacitor,” IEICE Electronics Express, Vol.14, No.11, 2017.
  2. S. Fukunaga, T. Funaki:“An Experimental Study on Estimating Dynamic Junction Temperature of SiC MOSFET,” IEICE Electronics Express (採録決定済み).

学会発表

国際会議

  1. S. Fukunaga, T. Funaki:“A Study on the Measurement of Transient Thermal Characteristics for Multi-Layered Ceramic Substrate,” 23rd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2017), Poster session 1, Sep. 27 – 29, 2017.

国内学会

  1. 舟木 剛, 福永 崇平:「SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定法に関する一検討 -SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響-」, 電気学会 全国大会, 4-019, 東北大学, 2016年3月.
  2. 福永 崇平, 舟木 剛:「多層セラミック基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気・熱特性に関する一検討 -基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価-」, 電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-16-098, 機械振興会館, 2016年7月.
  3. 福永 崇平:「大学研究室におけるT3Sterを用いたパワエレ研究 -次世代パワーデバイスを適用したパワーモジュールの熱設計評価-」, Mentor Forum 2016 – for T3Ster Users, 東京コンファレンスセンター品川, 2016年7月.
  4. 福永 崇平, 舟木 剛:「多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, SPC-16-150, 九州工業大学, 2016年11月15日.
  5. 福永 崇平, 舟木 剛:「多層セラミック基板を用いたSiCパワーモジュールの低インダクタンス化の効果に関する一検討 -基板実装したスナバコンデンサの容量がサージ電圧に与える影響-」, 電気学会 全国大会, 4-008, 富山大学, 2017年3月.
  6. 福永 崇平, 舟木 剛:「多層基板を用いたSiCパワーモジュールのスイッチングサージに関する一検討 –モジュール基板の寄生成分によるスイッチングサージの解析-」, 2017マイクロエレクトロニクスショー アカデミックプラザ, 東京ビックサイト, 2017年6月.
  7. 福永 崇平, 舟木 剛:「温度感知ダイオードを用いたSiC MOSFETのジャンクション温度推定に関する一検討」, 電気学会産業応用部門大会, 1-131, 函館アリーナ, 2017年8月.
  8. 福永 崇平, 舟木 剛:「多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, SPC-17-159, 鹿児島大学, 2017年11月.
  9. 福永 崇平, 舟木 剛:「プローニー法による熱回路パラメータの同定に関する一検討」, 電気学会 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, SPC-18-053, 熊本市国際交流会館, 2018年3月.

賞罰等


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