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福永 崇平, Shuhei FUKUNAGA

略歴 †

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学歴 †

2012年3月　香川県立観音寺第一高等学校 卒業
2012年4月　大阪大学 工学部 電子情報工学科 入学
2016年3月　同 卒業
2016年4月　大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士前期課程 入学
2018年3月　同 修了
2018年4月　大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士後期課程 入学
2019年1月　早稲田大学 パワー・エネルギー・プロフェッショナル（PEP）卓越大学院プログラム 進入 （1期生）
2020年9月　同 修了（早期）
2020年9月　大阪大学大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 博士後期課程 修了（早期）doi.

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職歴 †

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TA・RA等 †

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所属学会 †

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資格等 †

少林寺拳法2段, 免許（普通（MT）, 普通二輪）, 色彩検定3級, コーヒーインストラクター検定2級, 漢検2級, 経県値

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論文 †

  1. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“Switching surge voltage suppression in SiC half-bridge module with double side conducting ceramic substrate and snubber capacitor,” IEICE Electronics Express, vol.14, no.11, pp. 1-8, 2017. doi.
  2. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“An experimental study on estimating dynamic junction temperature of SiC MOSFET,” IEICE Electronics Express, vol.15, no.8, pp. 1-6, 2018. doi.
  3. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki, Shinsuke Harada, and Yusuke Kobayashi：“An experimental study on dynamic junction temperature estimation of SiC MOSFET with built-in SBD,” IEICE Electronics Express, vol.16, no.17, pp. 1-4, 2019. doi.
  4. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“Transient thermal network model identification for power module packages,” IEICE Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA), vol.11, no.2, pp. 157-169, 2020. doi.
  5. 關 翔太, 福永 崇平, 井渕 貴章, 舟木 剛:「10MHz帯E級インバータの設計に向けた磁気部品の2ポート測定とモデル化」, 電気学会論文誌A, vol. 141, no. 5, pp. 317-326, 2021. doi.
  6. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Thermal decouple design of multi-chip SiC power module with thermal anisotropic graphite,” IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 11, no. 5, pp. 778-784, 2021. doi.
  7. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Chip layout optimization of SiC power modules based on multiobjective electro-thermal design strategy,” IEEJ Journal of Industry Applications, vol.11, no.1, pp. 157-162, 2022. doi.
  8. 熊野 豊, 福永 崇平, 舟木 剛:「放熱経路として用いられるバスバーの温度分布解析モデル」, エレクトロニクス実装学会, 25巻, 3号, pp. 269-271, 2022年5月. doi.
  9. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Identification of high resolution transient thermal network model for power module packages,” Material Science Forum, vol. xx, no. x, pp. xx, 2022. (accepted)
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学会発表 †

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国際会議 †

  1. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“A study on the measurement of transient thermal characteristics for multi-layered ceramic substrate,” 23rd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2017), Poster session 1, Amsterdam, Sep. 27 – 29, 2017. （Poster） doi.
  2. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“A statistical study on the required sample number of SiC SBD to secure estimated junction temperature with K Factor,” 24th International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2018), Poster session 1, Stockholm, Sep. 26 – 28, 2018. （Poster） doi.
  3. Shuhei Fukunaga, Tsuyoshi Funaki, Shinsuke Harada, and Yusuke Kobayashi：“A study on transient thermal characterization of SWITCH-MOS,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Tu-P-39, Kyoto, Sep. 29 – Oct. 4, 2019. （Poster）
  4. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki：“A reliability assessment on busbar joint with ultrasonic bonding in power module for thermal stress,” International Symposium on Advanced Power Packaging (ISAPP 2019), Poster session (P-4), Osaka, Oct. 7 – 8, 2019. （Poster）
  5. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive,” The 12th IEEE Energy Conversion Congress and Exposition – Asia, 2021 (ECCE - Asia 2021), OR-02-0485, Singapore, May 24-27, 2021.（Oral）doi.
  6. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Identification of high resolution transient thermal network model for power module packages,” The 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020-2021), Tu-P-44, Tours, France, Oct. 24 - 28, 2021. (Poster)
  7. Shuhei Fukunaga, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Reliable design of SiC MOSFET power modules: Experimental characterization for aging prediction,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 16F1-4, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral)
  8. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “A study on digital active gate driving of DC-DC converter for suppressing switching surge voltage,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19F1-3, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral)
  9. Shuhei Fukunaga, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Development of reliable multi-chip power modules with parallel planar- and trench-gate SiC MOSFETs,” The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Online Poster Session I, Vancouver, Canada, May 23-25, 2022. (Poster)
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国内学会 †

  1. 舟木 剛, 福永 崇平：「SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定法に関する一検討 -SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響-」, 電気学会 全国大会, 4-019, 2016年3月.
  2. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気・熱特性に関する一検討 -基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価-」, 電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-16-098, 2016年7月.
  3. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-16-063/SPC-16-150, 2016年11月15日.
  4. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層セラミック基板を用いたSiCパワーモジュールの低インダクタンス化の効果に関する一検討 -基板実装したスナバコンデンサの容量がサージ電圧に与える影響-」, 電気学会 全国大会, 4-008, 2017年3月.
  5. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層基板を用いたSiCパワーモジュールのスイッチングサージに関する一検討 –モジュール基板の寄生成分によるスイッチングサージの解析-」, 2017マイクロエレクトロニクスショー アカデミックプラザ, 2017年6月.
  6. 福永 崇平, 舟木 剛：「温度感知ダイオードを用いたSiC MOSFETのジャンクション温度推定に関する一検討」, 電気学会 産業応用部門大会, 1-131, 2017年8月.
  7. 福永 崇平, 舟木 剛：「多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-17-060/SPC-17-159, 2017年11月.
  8. 福永 崇平, 舟木 剛：「プローニー法による熱回路パラメータの同定に関する一検討」, 電気学会 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-18-032/PSE-18-008/SPC-18-053, 2018年3月.
  9. 福永 崇平, 舟木 剛, 沓水 真琴：「熱異方性のあるグラファイトを用いたパワーモジュール用放熱基板の熱干渉低減に関する数値的検討」, 電気学会 産業応用部門大会, 1-8, 2018年8月.
  10. 福永 崇平, 舟木 剛, 井渕 貴章：「有限差分法を用いたパワーモジュール基板の過渡熱特性解析に関する一検討」, 電気学会 半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, SPC-18-140/MD-18-100, 2018年9月.
  11. 福永 崇平, 舟木 剛：「埋込温度感知ダイオードを用いたパワーデバイスのジャンクション温度推定に関する一検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-18-055/SPC-18-149, 2018年11月.
  12. 福永 崇平, 舟木 剛：「超音波によるパワーモジュール基板へのブスバー接合の初期接合強度に関する一検討 -タグチメソッドによる接合パラメータ設計-」, 電気学会 全国大会, 4-025, 2019年3月.
  13. 福永 崇平, 舟木 剛：「パワーモジュールの過渡熱回路モデル同定手法に関する基礎検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-19-070/SPC-19-156, 2019年11月.
  14. 福永 崇平, 舟木 剛：「有限要素法に基づくパワーモジュールの電気/熱解析に関する一検討」, 電気学会 全国大会, 4-104, 2020年3月.
  15. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「GAに基づくSiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検討」, 電気学会 全国大会, 4-100, 大阪大学（オンライン）, 2021年3月.
  16. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「SiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の多目的最適化に関する数値検討」, 電子情報通信学会 NOLTAソサイエティ大会, #2017, 東京都市大学（オンライン）, 2021年6月.（査読有）
  17. 福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士：「SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証」, 電気学会 全国大会, 4-010, オンライン, 2022年3月.
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ワークショップ・講演会発表等 †

  1. 福永 崇平：「大学研究室におけるT3Sterを用いたパワエレ研究 -次世代パワーデバイスを適用したパワーモジュールの熱設計評価-」, Mentor Forum 2016 – for T3Ster Users, 2016年7月.
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共著者登壇分 †

  1. Tsuyoshi Funaki, and Shuhei Fukunaga：“Difficulties in characterizing transient thermal resistance of SiC MOSFETs”, 22nd　International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2016), Session 7, Hungary, Sep. 21 – 23, 2016. (Oral) doi.
  2. 杉原 英治, 河内昂輝, 舟木 剛, 福永 崇平：「パワー半導体素子の導通特性評価における自己発熱の影響に関する一考察」, 電気学会 全国大会, 4-014, 2018年3月.
  3. 濵田 宏紀, 末岐 渉, 福永 崇平, 林 慧, 舟木 剛：「高速回転を目指したモータの巻線設計と特性評価」, 材料技術研究協会 International Student Symposium 2018 –次世代サイエンティストの育成-, A-09, IPU環太平洋大学, 2018年8月.
  4. 舟木 剛, 關 翔太, 福永 崇平：「オンボード電源の小型化に向けた電力変換回路の高周波駆動に関する研究-SiC MOSFETを用いた昇圧チョッパの13.56MHzでの動作の検討-」, 電気学会 合同研究会, MD-19-085/RM-19-053/VT-19-013, 電気学会会議室, 2019年7月.
  5. 松下 涼音, 福永 崇平, 舟木 剛：「電動車両用モータの巻線設計および実験における特性評価と課題抽出」, 材料技術研究協会 International Student Symposium 2019 –次世代サイエンティストの育成-, A-08, IPU環太平洋大学, 2019年8月.
  6. Tsuyoshi Funaki, and Shuhei Fukunaga：“A study on parasitic inductance and thermal resistance of multi-layered ceramic power module substrate”, International Symposium on Advanced Power Packaging (ISAPP 2019), Plenary session, Osaka, Japan, Oct. 7 – 8, 2019. (Oral).
  7. 關 翔太, 舟木 剛, 福永 崇平：「GaN GITを用いた絶縁型E2級DC-DCコンバータに関する実験的検討」, 電気学会 全国大会, 4-053, 2020年3月.
  8. 河内昂輝, 杉原 英治, 福永 崇平, 舟木 剛：「パワー半導体デバイスの自己発熱におけるジャンクション温度の推定と妥当性の検証」, 電気学会 計測研究会, IM-20-011, 2020年3月.
  9. 高橋 将太, 杉原 英治, 福永 崇平, 舟木 剛：「SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討」, 電気学会 全国大会, 4-007, 大阪大学（オンライン）, 2021年3月.
  10. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Switching trajectory control of SiC MOSFET based on I-V characteristics using digital active gate driver,” The 12th IEEE Energy Conversion Congress and Exposition – Asia, 2021 (ECCE - Asia 2021), OR-02-0484, Singapore, May 24-27, 2021.（Oral）doi.
  11. 高山 創, 福永 崇平, 引原 隆士：「SiC MOSFETのゲート電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討」, 電気学会 電子回路研究会, ECT-21-026, オンライン, 2021年6月.
  12. Tsuyoshi Funaki, Shuhei Fukunaga, Tomoaki Hara, and Takaaki Ibuchi: “A difficulty and solution in transient thermal resistance modeling for wide band gap power semiconductor device,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19A1-3(OS), Hyogo, Japan, May 15 - 19, 2022. (Oral)
  13. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Simulation tool for optimization of digital active gate driver sequence using genetic algorithm,” The 22nd European Conference on Power Electronics and Applications EPE’22 ECCE Europe, , Hannover, Germany, September 5 - 9, 2022. (Accepted)
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賞罰等 †

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研究助成 †

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その他 †

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