パワーデバイスの駆動制御
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開始行:
MOSFETやIGBTなどの自己消弧デバイスは動作領域がゲート電圧...
増幅回路などで用いられるアナログ半導体デバイスは主に飽和...
電力変換回路で用いるパワー半導体デバイスは，アナログ半導...
パワー半導体デバイスの線形領域と遮断領域の遷移をスイッチ...
スイッチング動作においてゲート電圧を変化させるためのゲー...
飽和領域においてパワー半導体デバイスで生じる損失がスイッ...
スイッチング損失低減のため飽和領域の通過時間を単に短くす...
ゲート駆動を細かく制御することで，スイッチング損失と電磁...
ただしこの条件は，用いるパワー半導体デバイスや回路の動作...
このためスイッチング損失と電磁ノイズを抑制するゲート駆動...
#ref(./GateDriving.png,50%);
[[研究内容紹介]]
終了行:
MOSFETやIGBTなどの自己消弧デバイスは動作領域がゲート電圧...
増幅回路などで用いられるアナログ半導体デバイスは主に飽和...
電力変換回路で用いるパワー半導体デバイスは，アナログ半導...
パワー半導体デバイスの線形領域と遮断領域の遷移をスイッチ...
スイッチング動作においてゲート電圧を変化させるためのゲー...
飽和領域においてパワー半導体デバイスで生じる損失がスイッ...
スイッチング損失低減のため飽和領域の通過時間を単に短くす...
ゲート駆動を細かく制御することで，スイッチング損失と電磁...
ただしこの条件は，用いるパワー半導体デバイスや回路の動作...
このためスイッチング損失と電磁ノイズを抑制するゲート駆動...
#ref(./GateDriving.png,50%);
[[研究内容紹介]]
ページ名:
![[Funakingdom]](image/pukiwiki.png "[Funakingdom]")
