舟木研究室

2016年度研究成果 †

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査読付論文 †

  1. Taehwa Kim, Tsuyoshi Funaki, “Analysis on partial thermal resistances of packaged SiC schottky barrier diodes at elevated temperatures”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol 55, Number 4S, 04ER18, (2016).オンラインジャーナル
  2. Taehwa Kim, Tsuyoshi Funaki, “Thermal Measurement and Analysis of Packaged SiC MOSFETs”, Thermochimica Acta, Vol. 633, pp. 31-36, June 2016. オンラインジャーナル
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国際会議 †

  1. Akihiro Yasui, Tsuyoshi Funaki, Takuo Sugioka, Satoshi Ogawa, Teruhisa Fujibayashi, "Adhesiveness evaluation of heat-resistance thermosetting imide molding plastic for SiC power device package with power cycling test", 6th Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC 2016), S14, France, Sep. 13–16, 2016.
  2. Tsuyoshi Funaki, Shuhei Fukunaga, "Difficulties in characterizing transient thermal resistance of SiC MOSFETs", 22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems (Therminic 2016), Session 7: Power electronics 2: Reliability & Testing, Hungary, Sep. 21 – 23, 2016.
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解説記事・紀要 †

  1. 舟木剛，「ダイヤモンドパワーデバイスの電力システム応用に対する可能性」，ニューダイヤモンド, 第121巻第2号, pp.21-24, 2016.
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口頭発表 †

  1. Takaaki Ibuchi, Tsuyoshi Funaki, "An experimental investigation on conducted emission characteristics of SiC MOSFET in a DC-DC boost converter", 電気学会 電磁環境研究会, EMC-16-036, MAG-16-073, 2016年6月2日.
  2. 増田瑛介，井渕貴章，舟木剛，大嶽浩隆，宮崎達也，金武康雄，中村孝，「SiCパワーモジュールの配線インダクタンスが過渡特性に及ぼす影響に関する一検討」，電子情報通信学会 環境電磁工学研究会,EMCJ2016-15,2016年 5月13日.
  3. 福永崇平，舟木 剛，「多層セラミック基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気・熱特性に関する一検討－基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価－」，電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-16-098,2016年7月15日.
  4. 杉原英治，芦田光平，舟木剛，「自然エネルギー発電の出力変動補償に向けたMn 系リチウムイオン電池セルの容量劣化特性に関する一考察」，電気学会 平成28年産業応用部門大会, Y-17,2016年8月30日, 2016.
  5. 小村裕作，佐藤宣夫，舟木剛，「SiC power-MOSFET における温度特性評価の一検討」，電気学会 平成28年産業応用部門大会, Y-67,2016年8月30日, 2016.
  6. 増田瑛介, 井渕貴章, 舟木剛, 大嶽浩隆, 宮崎達也, 金武康雄, 中村孝, 「SiCパワーモジュールの基板配線パターン設計に向けた近傍磁界強度測定による電流分布の評価」，電子情報通信学会 環境電磁工学研究会,2016年9月16日.
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著書 †

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研究助成 †

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受賞 †

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過去の研究実績 †

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