舟木研究室

2020年度研究成果 †

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査読付論文 †

  1. Tomoaki Hara and Tsuyoshi Funaki, "Transient thermal characterization for GaN HEMTs with p-type gate," Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging, Vol. 13, p. E19-002-1-E19-002-13, 2020. オンラインジャーナル
  2. Masahiro Masunaga, Viviana Crescitell and Tsuyoshi Funaki, "Long-term stability of nickel-based ohmic contacts with n-type and p-type 4H-SiC in a high-temperature environment," Japanese Journal of Applied Physics, Volume 59, Number 10, 104005, 8 October 2020. オンラインジャーナル
  3. 井渕 貴章，舟木 剛，「同期整流型DC-DCコンバータにおけるSiCおよびGaNパワートランジスタの電磁雑音源特性評価」，電気学会論文誌A, Vol. 140, No. 12, pp. 565-572 (2020) オンラインジャーナル
  4. 原智章,青木禎孝,舟木剛, "非対称構造を持つ両面放熱パワーモジュールの過渡熱測定に基づく熱流体シミュレーションモデリングと劣化解析," エレクトロニクス実装学会誌, 24 巻 1 号 p. 130-142, 2021. オンラインジャーナル
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国際会議 †

  1. Takaaki Ibuchi, Tsuyoshi Funaki, "Visualization of dynamic noise current distribution from Si and SiC power devices based on time-synchronized near magnetic field scanning," International Symposium and Exhibition on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe 2020), Virtual Conference, Sep. 23-25, 2020.
  2. Takaaki Ibuchi, Tsuyoshi Funaki, "EMI characterization for power conversion circuit with SiC power devices," The 29th IEEE Asian Test Symposium (IEEE ATS '20), Virtual Conference, Nov. 22-25, 2020.
  3. Y. Saito, T. Ibuchi, T. Funaki, K. Kawai, T. Tsuda "A study on EMI noise source modeling with voltage source in synchronous DC-DC buck converter," IEEE 11th Int. Symp. Power Electronics for Distributed Generation systems (PEDG 2020), Virtual Conference, Sep. 28-Oct. 1, 2020.
  4. C. Kyotani, T. Ibuchi, T. Funaki, T. Miyazaki, Y. Okawauchi, K. Nakahara "A Study on Equivalent Circuit Modeling of Wiring Inductance in SiC Power Module for Predicting Conducted EMI of Power Converter," IEEE 11th Int. Symp. Power Electronics for Distributed Generation systems (PEDG 2020), Virtual Conference, Sep. 28-Oct. 1, 2020.
  5. Tsuyoshi Funaki, Takaaki Ibuchi, "Visualization of Noise Current Distribution in Power Module," International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM Asia 2020), Shanghai, China, Nov. 16-18, 2020.
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解説記事・紀要 †

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口頭発表 †

  1. 阪部 智城, 井渕 貴章, 舟木 剛，"SiC MOSFETのゲート駆動条件がスイッチング特性に及ぼす影響に関する実験的検討，" 電気学会・モータドライブ・回転機・自動車合同研究会，MD-20-073, RM-20-048, VT-20-011，2020年5月.
  2. 齊藤 裕也, 井渕 貴章, 舟木 剛，川井 一馬，津田 剛宏，"同期整流型DCーDC降圧コンバータの配線インピーダンス評価に基づく寄生インダクタンスの等価回路モデル化に関する一検討，" 電気学会・電磁環境・半導体電力変換合同研究会，EMC-20-069, SPC-20-196，2020年12月.
  3. 京谷 千春, 井渕 貴章, 舟木 剛，宮崎 達也，大河内 裕太，坂井 優斗，中原 健，"三次元電磁界解析に基づくSiCパワーモジュール内配線の寄生インダクタンスモデル化に関する一検討，" 電気学会・電磁環境・半導体電力変換合同研究会，EMC-20-070, SPC-20-197，2020年12月.
  4. 關　翔太,舟木　剛, "高周波用パワートランスとGaN GITを用いた絶縁型E2級DC-DCコンバータの実験的検討,"電気学会・電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-21-040, PSE-21-053, SPC-21-092 , 2021年3月
  5. 綾野, 井渕, 梅谷, 山口, 和田，"電力変換装置における実用的なEMC対策技術～総論，EMC対策基礎～", 令和3年電気学会全国大会（シンポジウムセッション），S12-1，2021年3月.
  6. 舟木 剛, 山本真義, 中尾一成, 中村 孝, 小谷和也, "システムインテグレーションのためのSiCとGaNにおけるモジュール・放熱・信頼性," 令和3年電気学会全国大会（シンポジウムセッション），S11-2，2021年3月.
  7. 高橋 将太, 杉原 英治, 福永 崇平, 舟木 剛, "SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討," 令和3年電気学会全国大会,4-007，2021年3月.
  8. 關 翔太,舟木 剛, "SiC MOSFET を用いた13.56MHz E級インバータの作製と動作評価," 令和3年電気学会全国大会，4-094，2021年3月.
  9. 吉田春樹,金井隆彦,三阪佳孝,李 建徳,舟木 剛, "SiC-MOSFETを用いた200kW-440kHz高周波誘導加熱電源の開発, "令和3年電気学会全国大会,4-096，2021年3月.
  10. 福田典子,小笠正道,舟木 剛,"交流電気車トランスレス化回路用入れ子キャパシタ構造の基礎検討-その2-," 令和3年電気学会全国大会,4-097，2021年3月.
  11. 二社谷一樹,井渕貴章,舟木 剛,"SiC MOSFETにおけるゲート-ソース間閾値電圧の温度依存性がスイッチングデッドタイムに与える影響の検討," 令和3年電気学会全国大会,4-101，2021年3月.
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著書 †

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研究助成 †

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受賞 †

  1. 京谷千春　電気学会・優秀論文発表賞（A部門表彰）
  2. 緒方空人　電気学会・マグネティックス技術委員会 研究奨励賞
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過去の研究実績 †

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