研究実績 のバックアップ(No.36)

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舟木研究室

2016年度研究成果 †

査読付論文 †

1. Taehwa Kim, Tsuyoshi Funaki, “Analysis on partial thermal resistances of packaged SiC schottky barrier diodes at elevated temperatures”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol 55, Number 4S, 04ER18, (2016).オンラインジャーナル
2. Taehwa Kim, Tsuyoshi Funaki, “Thermal Measurement and Analysis of Packaged SiC MOSFETs”, Thermochimica Acta, Vol. 633, pp. 31-36, June 2016. オンラインジャーナル

国際会議 †

解説記事・紀要 †

1. 舟木剛，「ダイヤモンドパワーデバイスの電力システム応用に対する可能性」，ニューダイヤモンド, 第121巻第2号, pp.21-24, 2016.

口頭発表 †

1. Takaaki Ibuchi, Tsuyoshi Funaki, "An experimental investigation on conducted emission characteristics of SiC MOSFET in a DC-DC boost converter", 電気学会 電磁環境研究会, EMC-16-036, MAG-16-073, 2016年6月2日.
2. 増田瑛介，井渕貴章，舟木剛，大嶽浩隆，宮崎達也，金武康雄，中村孝，「SiCパワーモジュールの配線インダクタンスが過渡特性に及ぼす影響に関する一検討」，電子情報通信学会 環境電磁工学研究会,EMCJ2016-15,2016年 5月13日.
3. 福永崇平，舟木 剛，「多層セラミック基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気・熱特性に関する一検討－基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価－」，電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-16-098,2016年7月15日.

著書 †

研究助成 †

受賞 †

過去の研究実績 †

• 2015年度研究実績
• 2014年度研究実績
• 2013年度研究実績
• 2012年度研究実績
• 2011年度研究実績
• 2010年度研究実績

     

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