舟木研究室

2022年度研究成果 †

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査読付論文 †

  1. 熊野 豊, 福永 崇平, 舟木 剛，「放熱経路として用いられるバスバーの温度分布解析モデル」，エレクトロニクス実装学会誌, 25巻, 3号, pp.269-271, 2022年. doi.
  2. Shuhei Fukunaga, and Tsuyoshi Funaki: “Identification of high resolution transient thermal network model for power module packages,” Material Science Forum, vol. 1062, pp. 253-257, 2022. doi.
  3. 野村 優貴，舟木 剛，「VNAのポート延長機能を用いたパワーループ寄生成分の抽出方法」，電気学会論文誌D，142巻，6号，pp.488-489，2022年．doi.
  4. 二社谷 一樹, 井渕 貴章, 舟木 剛, 「SiC MOSFETとゲート駆動回路の温度特性がデッドタイムに与える影響の検討」，電気学会論文誌D，142巻，7号，pp.559-560，2022年．doi.
  5. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “Slew rate control of SiC MOSFET in boost converter using digital active gate driver,” IET Power Electronics, vol. xx, no. x, pp. xx, xxxx. (accepted) doi.
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国際会議 †

  1. Shuhei Fukunaga, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Reliable design of SiC MOSFET power modules: Experimental characterization for aging prediction,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 16F1-4, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral) doi.
  2. Tsuyoshi Funaki, Shuhei Fukunaga, Tomoaki Hara, and Takaaki Ibuchi: “A difficulty and solution in transient thermal resistance modeling for wide band gap power semiconductor device,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19A1-3(OS), Hyogo, Japan, May 15 - 19, 2022. (Oral) doi.
  3. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: “A study on digital active gate driving of DC-DC converter for suppressing switching surge voltage,” The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19F1-3, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral) doi.
  4. Shuhei Fukunaga, Alberto Castellazzi, and Tsuyoshi Funaki: “Development of reliable multi-chip power modules with parallel planar- and trench-gate SiC MOSFETs,” The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Online Poster Session I, Vancouver, Canada, May 23-25, 2022. (Poster) doi.
  5. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “Simulation tool for optimization of digital active gate driver sequence using genetic algorithm,” The 22nd European Conference on Power Electronics and Applications EPE’22 ECCE Europe, , Hannover, Germany, September 5 - 9, 2022. (Poster)
  6. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: “An estimation of load-dependent characteristics of SiC power MOSFETs while active-gate-driving,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM 2022), Davos, Switzerland, Sep. 11 - 16, 2022. (Poster)
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解説記事・紀要 †

  1. 關 翔太,「新素材パワー半導体の実力検証！40kVA級高周波インバータの製作」,トラ技Jr., 49号, pp.26-28, 2022.
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口頭発表 †

  1. 福永 崇平, カスティラッズィ アルベルト, 舟木 剛：「SiCパワーモジュールの高信頼性設計 -劣化予測へ向けた実験的特性評価-」, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, SDM-22-, オンライン, 2022年11月（招待講演, 予定）.
  2. 清水 優人, 福永 崇平, 舟木 剛：「パワーモジュールに適用する絶縁用セラミックスの過渡熱抵抗に関する実験的検討」, 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, EDD-22-/SPC-22-, 北海道大学, 2022年12月（予定）
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著書 †

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研究助成 †

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受賞 †

  1. 關 翔太, IPEC Student Poster Competition Excellent Presentation Award
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過去の研究実績 †

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