二社谷　一樹

二社谷 一樹, Kazuki NISHATANI

• 学年 : 博士後期1年
• 居室 : E2-111
• メール : nishatani ＠ ps.eei.eng.osaka-u.ac.jp

略歴 †

学歴 †

2020年3月　大阪大学 工学部 電子情報工学科 卒業
2020年4月　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 博士前期課程 入学
2020年4月　早稲田大学 パワー・エネルギー・プロフェッショナル育成プログラム (文部科学省 卓越大学院プログラム) 進入 (3期生)
2022年3月　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 博士前期課程 修了
2022年4月　同 博士後期課程 入学

職歴 †

• 2020年4月 ～ 現在　大阪大学 RA
• 2021年6月 ～ 2021年9月　大阪大学 TA (電気電子回路演習)
• 2022年4月 ～ 現在　大阪工業大学 非常勤講師

所属学会 †

• 電気学会 2020年1月 ～
• IEEE 2021年1月 ～

資格・技能等 †

基本情報技術者 (2017年11月)
上級救命講習修了 (2020年11月)
大阪大学 高度副プログラム「安全なデータ利活用のためのセキュリティ人材育成プログラム」修了 (2021年3月)
文部科学省 情報技術人材育成のための実践教育ネットワーク形成事業「分野・地域を越えた実践的情報教育協働ネットワークプロジェクトセキュリティ分野(enPiT-Security)」SecCap6 修了 (2021年3月)

論文 †

1. 二社谷 一樹，井渕 貴章，舟木 剛，"SiC MOSFETとゲート駆動回路の温度特性がデッドタイムに与える影響の検討，"電気学会論文誌D，vol.142，no.7，pp.559-560，Jul. 2022.

学会発表 †

国内学会 †

1. 二社谷 一樹，井渕 貴章，舟木 剛：「SiC MOSFETにおけるゲート-ソース間閾値電圧の温度依存性がスイッチングデッドタイムに与える影響の検討」，令和3年電気学会全国大会，4-101，大阪大学(オンライン)，2021年3月

アウトリーチ活動，学会ボランティア等 †

• 大阪大学 高等教育・入試研究開発センター 高大接続アドバイザー 2017年3月 ～ 現在
  • SGH甲子園 ポスターアドバイザー (2017, 2018, 2019)
  • NIKKEI STEAM シンポジウム Cheers!サポーター (2022)
• IEEE関係
  • Kansai Section Young Professionals (YP) Affinity Group 2020年1月 ～ 現在
  • イベント委員
    • Member, IEEE Japan SYWL Workshop 2021 (北海道大学・オンライン, 2021年10月31日) link
    • Member, IEEE Japan SYWL + Industry Workshop 2022 (徳島大学・オンライン, 2022年10月8日) link
    • Member, The 19th IEEE Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers (東京農工大学, 2022年11月26日) link