二社谷 一樹, Kazuki NISHATANI

  • 学年 : 博士後期1年
  • 居室 : E2-111
  • メール : nishatani @ ps.eei.eng.osaka-u.ac.jp

略歴

学歴

2016年3月 京都市立西京高等学校 卒業
2016年4月 大阪大学 工学部 電子情報工学科 入学
2020年3月 同 卒業
2020年4月 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 博士前期課程 入学
2020年4月 早稲田大学 パワー・エネルギー・プロフェッショナル育成プログラム (文部科学省 卓越大学院プログラム) 進入 (3期生)
2022年3月 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 博士前期課程 修了
2022年4月 同 博士後期課程 入学

職歴

  • 大阪大学 RA 2020年4月 ~ 現在
  • 大阪大学 TA(電気電子回路演習) 2021年6月 ~ 2021年9月
  • 大阪工業大学 非常勤講師 2022年4月 ~ 現在

所属学会

  • 電気学会 2020年1月 ~
  • IEEE 2021年1月 ~

資格等

基本情報技術者

論文

  1. 二社谷 一樹,井渕 貴章,舟木 剛:「SiC MOSFETとゲート駆動回路の温度特性がデッドタイムに与える影響の検討」,電気学会論文誌D,vol.xxx,no.xx,pp.xxx-xxx (accepted)

学会発表

国内学会

  1. 二社谷 一樹,井渕 貴章,舟木 剛:「SiC MOSFETにおけるゲート-ソース間閾値電圧の温度依存性がスイッチングデッドタイムに与える影響の検討」,令和3年電気学会全国大会,4-101,大阪大学(オンライン),2021年3月

アウトリーチ活動,学会ボランティア等

  • 大阪大学 高等教育・入試研究開発センター 高大接続アドバイザー 2017年3月 ~ 現在
    • SGH甲子園 ポスターアドバイザー (2017, 2018, 2019)
    • NIKKEI STEAM シンポジウム Cheers!サポーター (2022)
  • IEEE Kansai Section Young Professionals (YP) Affinity Group 2020年1月 ~ 現在
    • Committee Member, IEEE Japan SYWL Workshop 2021 (北海道大学・オンライン, 2021年10月31日) : YP Memberとして派遣

個人的お役立ちリンク

学会・研究会


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Last-modified: 2022-04-04 (月) 13:27:47 (89d)