高電力密度パワーモジュールの開発と回路実装

電力変換回路の小型軽量化が,移動体用途だけでなく固定設置用途にも求められています。パワーデバイスのスイッチングを高周波数化することで,必要なリアクトルやコンデンサを小さくすることができます。一方で高周波数スイッチング動作において,回路配線等における寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスの影響も無視できなくなるために,これを低減するための回路構成要素の高密度実装も不可欠になってきます。ただし,単に回路構成部材を密集配置しただけでは,半導体デバイスの動作のアンバランスや熱の集中による破壊が生じます。とくに高速スイッチングや高温での動作が期待されているSiC等のワイドバンドギャップパワー半導体デバイスを用いた電力変換回路では不可避な問題となってきます。舟木研究室では,電力変換回路の高電力密度化に向け,回路動作における電磁気的な相互作用や発熱・熱伝達等の現象を考慮したパワーモジュールの開発および,それに対応したダイボンディング・ワイヤーボンディング等のパワー半導体デバイスの実装技術の開発を行っています。

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研究内容紹介


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Last-modified: 2023-02-18 (土) 11:02:36 (455d)